CN119835934A 半导体器件结构及其制备方法 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835934A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311319207.0

(22)申请日2023.10.12

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区科创十街18号院11号楼四层401室

(72)发明人宋艳鹏王祥升王海玲刘晓萌王桂磊赵超

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师熊文杰

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书3页说明书12页附图21页

(54)发明名称

半导体器件结构及其制备方法

(57)摘要

CN119835934A本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法。半导体器件结构包括衬底以及位于衬底上交替堆叠的层间介质层和导电层的堆叠结构，至少一个贯穿堆叠结构的通孔，且通孔内设置有第一字线、第一沟道层、第二字线、第二沟道层以及导电连接层；其中，第一字线与第二字线均沿垂直于衬底的第二方向延伸且沿平行于衬底的第一方向间隔设置；第一沟道层环绕第一字线的侧壁且在相邻导电层之间断开；第二沟道层环绕第二字线的侧壁且在相邻导电层之间断开；导电连接层位于相邻导电层之间且沿第一方向与第一字线及第二字线均一体连接。采用本发明