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CN119300415A 一种集成高性能的ldmos器件及其制备方法 （深圳市冠禹半导体有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-07-07 发布于重庆
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CN119300415A 一种集成高性能的ldmos器件及其制备方法 （深圳市冠禹半导体有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119300415A

    (43)申请公布日2025.01.10

    (21)申请号202411794165.0

    (22)申请日2024.12.09

    (71)申请人深圳市冠禹半导体有限公司

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