CN119836676A 用于对由多晶SiC载体衬底承载的复合结构进行减薄并减少翘曲的方法 （Soitec公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119836676A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202380063045.0

(22)申请日2023.09.06

(30)优先权数据

FR22089602022.09.07FR

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.28

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/FR2023/0513412023.09.06

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/052619FR2024.03.14

(71)申请人SOITEC公司

地址法国贝尔尼

(72)发明人W·施瓦岑巴赫S·鲁什尔

S·莫努瓦耶

(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限

公司11314

专利代理师程伟张家宁

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H01L21/304(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图3页

(54)发明名称

用于对由多晶SiC载体衬底承载的复合结构

进行减薄并减少翘曲的方法

(57)摘要

CN119836676A本发明涉及一种用于调节复合结构的方法，所述复合结构包括布置在多晶碳化硅载体衬底上的单晶碳化硅薄层(11)，所述复合结构具有位于单晶碳化硅薄层侧的正面和与所述正面相对的背面