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HGTG12N60A4D,HGTP12N60A4D,
HGT1S12N60A4DS
数据表2001年12月
600V,SMPS系列N沟道IGBT带反并联超快二极管特性
•100kHz运行.390V,12A
HGTG12N60A4D、HGTP12N60A4D和•200kHz运行.390V,9A
HGT1S12N60A4DS是结合了MOSFET和双极晶体管最佳特
•600V开关SOA能力
性的高压开关器件。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和
双极晶体管的低导通损耗。其导通电压降在25°
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