PS系列沟道IT带反并联超快二极管特性与应用.pdfVIP

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PS系列沟道IT带反并联超快二极管特性与应用.pdf

HGTG12N60A4D,HGTP12N60A4D,

HGT1S12N60A4DS

数据表2001年12月

600V,SMPS系列N沟道IGBT带反并联超快二极管特性

•100kHz运行.390V,12A

HGTG12N60A4D、HGTP12N60A4D和•200kHz运行.390V,9A

HGT1S12N60A4DS是结合了MOSFET和双极晶体管最佳特

•600V开关SOA能力

性的高压开关器件。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和

双极晶体管的低导通损耗。其导通电压降在25°

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