第三代半导体材料制造工艺.ppt

第三代半导体材料制造工艺演示文稿;（优选）第三代半导体材料制造工艺;近年来，随着半导体器件应用领域的不断扩大，特别是有些特殊场合要求半导体适应在高温、强辐射和大功率等环境下工作，传统的一和二代半导体无能为力。于是人们将目光投向一些被称为第三代宽带隙半导体材料的研究，如金刚石、SiC、GaN和AlN等。这些材料的禁带宽度在2eV以上，拥有一系列优异的物理和化学性能。;主要半导体材料的基本特性;SiC材料及器件的一些具体应用;SiC的结构;SiC的结构;SiC是一种天然超晶格，又是一种典型的同质多型体;SiC的结构;SiC优良的物理和化学性能;SiC块材单晶的制备;SiC块材单晶的制备;1824年，瑞典科学家J.JacobBerzelius在试图制备金刚石时意外发现了这种新的化合物。

1885年，Acheson用电弧熔炼法生长出SiC,但用这种方法形成的SiC质量较差，达不到大规模生产SiC器件所需的SiC单晶的质量要求。

1955年菲力浦研究室的Lely首先在实验室用升华法制备了杂质数量和种类可控的、具有足够尺寸的SiC单晶。

具体过程：设计一个空腹的圆筒，将具有工业级的SiC块放入碳坩埚中，加热到2500oC，SiC发生明显的分解与升华，产生Si和SiC的蒸汽，在高温炉内形成的温度梯度作用下向低