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半导体器件栅极氧化层厚度测量考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.测量半导体器件栅极氧化层厚度最常用的方法是？

A.拉曼光谱

B.超声波测厚

C.椭偏仪法

D.X射线衍射

2.下列哪种仪器不适合用于测量栅极氧化层厚度？

A.椭偏仪

B.薄膜沉积监控仪

C.高分辨率显微镜

D.磁力计

3.椭偏仪法测量栅极氧化层厚度的基本原理是？

A.光的干涉和衍射

B.电磁感应

C.核反应

D.热传导

4.测量栅极氧化层厚度时，通常需要知道哪项参数？

A.材料的折射率

B.材料的密度

C.材料的导电率

D.材料的熔点

5.椭偏仪法测量结果的精度通常在？

A.0.1nm

B.1nm

C.10nm

D