250V 40A 70mΩN-通道增强型MOSFET特性与应用.pdfVIP

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FQA40N25

N‑通道QFET®MOSFET250V,40A,70mΩ

描述

这种N‑通道增强型功率MOSFET采用FairchildSemiconductor的专有平面条纹和

DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术特别优化以降低导通电阻，并卓越

的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（

PFC）和电子镇流器。

特性

•40A，250V，RDS(导通)= 70mΩ（最大值）@VGS 10V，ID 20A

•低栅极电荷（典型值85nC）

•低交叉（典型值

70pF）100%雪崩测试d

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FQA40N25

N-ChannelQFET®MOSFET

250V,40A,70mΩ

Description

ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchild

Semiconductor’sproprie