CN119640228A 改善迁移率和载流子浓度的Sn掺杂β-Ga2O3薄膜制备方法 (西安电子科技大学).pdfVIP

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  • 2026-07-09 发布于重庆
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CN119640228A 改善迁移率和载流子浓度的Sn掺杂β-Ga2O3薄膜制备方法 (西安电子科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119640228A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411809172.3

(22)申请日2024.12.10

(71

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