CN119920729A 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质 （株式会社国际电气）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119920729A

(43)申请公布日2025.05.02

(21)申请号202510053929.9

(22)申请日2020.05.22

(30)优先权数据

2019-0996192019.05.28JP

2020-0676002020.04.03JP

(62)分案原申请数据

202010445863.52020.05.22

(71)申请人株式会社国际电气地址日本东京都

(72)发明人奥野正则四谷达也永户雅也米岛利彦

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256

专利代理师杨宏军李文屿

(51)Int.Cl.

H01L21/67(2006.01)

H01L21/02(2006.01)

权利要求书2页说明书18页附图8页

(54)发明名称

半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记

录介质

(57)摘要

CN119920729A本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。能够提供在副产物向排气部的堆积发展前将其去除的技术。所提供的技术中，具有在使压力调节用的阀开闭从而维持处理室的处理压力的同时对衬底进行处理的衬底处理工序、和使处理室从处理压力成为大气压的大气压恢复工序，在执行大气压恢复工序时，并行地执行绕过处理室而向压力调节用的