CN119639351A 一种用于碳化硅衬底cmp的氧化硅抛光液的制备方法 (中机半导体材料(深圳)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-07-09 发布于重庆
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CN119639351A 一种用于碳化硅衬底cmp的氧化硅抛光液的制备方法 (中机半导体材料(深圳)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119639351A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411821270.9

(22)申请日2024.12.11

(71)申请人中机半导体材料(深圳)有限公司

地址518000广东省深圳市宝安区福海街

道桥头社区万延工业区第六栋101

(72)发明人陈斌刘胥冠何万贵肖伟

王鑫

(74)专利代理机构东莞市尚标联合知识产权代

理事务所(普通合伙)44822

专利代理师钟建星

(51)Int.Cl.

C09G1/02(2006.01)

H01L21/306(2006.01)

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