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CN119673757A 通过rtp控制重掺硼衬底和轻掺硼外延片bmd的方法 （杭州中欣晶圆半导体股份有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-07-10 发布于重庆
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CN119673757A 通过rtp控制重掺硼衬底和轻掺硼外延片bmd的方法 （杭州中欣晶圆半导体股份有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119673757A

    (43)申请公布日2025.03.21

    (21)申请号202411819733.8

    (22)申请日2024.12.11

    (71)申请人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

    地址311201浙江省杭州市钱塘新区东垦

    路888号

    (72)发明人张沛

    (74)专利代理机构杭州融方专利代理事务所

    (普通合伙)33266

    专利代理师沈相权

    (51)Int.Cl.

    H01L21/02(2006.01)

    H01L21/324(2006.01)

    C30B33/02(2006.01)

    权利要求书1页

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