功率MOSFET模型的建立.pptVIP

1.功率MOSFET结构

可控功率电子器件主要分两大类：一类是电平触发的功率电子器件，只要在器件的控制端的电平保持正向偏置，器件就处于开通状态，这类器件有、GTR、IGBT等；另一类是脉冲触发的功率电子器件，器件控端受到正向脉冲的触发而导通，器件的关断要么器件的主电极反向或在器件控端加以反向脉冲，这类器件有SCR、GTO等。MOSFET是属于电平触发的功率电子器件。;MOSFET实物图(TO-3P);MOSFET实物图(TO-220);MOSFET实物图(TO-220S);IR公司HEXFET内部结构;MOSFET（MetalOxideSemiconductorFiele-EffectTransistor）是一种单极性器件。功率MOSFET具有较高的开关速度；非常低的门驱动功率；容易并联；没有双极型晶体管的二次击穿的现象。;制造功率MOSFET的关键，主要是解决大电流和高电压问题，以提高器件的功率处理能力．对比MOSFET与双极型器件（如GTR）的结构，发现后者首先在功率领域获得突破的原因主要有三点：

1)发射极和集电极是安置在基区的两侧，电流是流过面积很大而厚度较薄的基区，因而可以参照GTR等功率器件，制造为垂直导电模式，电流容量可以很大；

2)为了提高耐压，在集电区中加人了一个轻掺杂N-型区，使器件耐压能力大为改善；