双向触发二极管DB3-DB3TG特性与参数.pdf

2010年9月

DB3‑DB3TG150mW双向触发二极管

特性

•VBO:32V版本

•低击穿电流

•DO‑35封装(JEDEC)

•密封玻璃封装

•压缩键合结构

•所有外部表面均具有抗腐蚀性,端子易于焊接

•符合RoHSDO‑35

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