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2026长鑫存储技术有限公司校园招聘笔试历年典型考点题库附带答案详解

一、单项选择题

下列各题只有一个正确答案，请选出最恰当的选项（共30题）

1、在半导体DRAM制造工艺中，下列哪项技术主要用于提高存储单元的电容值以维持数据稳定性？

A.光刻技术B.化学机械抛光C.高介电常数材料D.离子注入

2、长鑫存储主营DRAM产品，下列哪种架构属于动态随机存取存储器？

A.NANDFlashB.NORFlashC.1T1C结构D.SRAM

3、在数字电路笔试中，若某同步时序电路建立时间（SetupTime）违例，下列哪种措施最有效？

A.降低时钟频率B.增加时钟频率C.减小数据路径延迟D.增大时钟偏斜

4、关于半导体硅片清洗工艺，RCA标准清洗法中SC-1溶液的主要作用是去除什么污染物？

A.金属离子B.有机污染物C.颗粒和自然氧化层D.光刻胶

5、在C语言编程测试中，下列关于指针与数组的描述，正确的是？

A.数组名在任何情况下都等同于指针常量B.sizeof(数组名)等于指针大小C.指针可以进行加减运算，数组名不可以D.数组可以作为函数返回值直接返回

6、DRAM芯片测试中，“刷新”操作的主要目的是什么？

A.清除错误数据B.补偿电容漏电C.提高读写速度D.降低功耗

7、在计算机组成原理中，Cach