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石墨烯类四元化合物SiBCN：新宽直接带隙半导体第一性原理研究.pdfVIP

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  • 2026-07-10 发布于北京
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石墨烯类四元化合物SiBCN：新宽直接带隙半导体第一性原理研究.pdf

    石墨烯类四元化合物SiBCN：基于第一性原理研究预测的新宽直接带隙

    1∗1,111

    ，，†，邓开明应用系，理工大学，210094，(日

    期：)

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