2026年mems期末试题及答案(最新).docx

2026年mems期末试题及答案(最新)

一、选择题（每题2分，共20分）

1.关于MEMS谐振器的品质因数Q值，以下说法错误的是：

A.Q值越高，谐振器的频率选择性越好

B.空气阻尼是影响常压下谐振器Q值的主要因素之一

C.在真空中，Q值主要由锚点损耗决定

D.材料的内摩擦对Q值没有影响

答案：D

解析：材料的内摩擦（材料阻尼）是影响Q值的内在因素之一，尤其在较高频率或特定材料中会显著影响能量耗散。

2.采用多晶硅作为结构材料的表面硅工艺中，通常需要沉积牺牲层。最常用的牺牲层材料是：

A.氮化硅

B.二氧化硅

C.多晶硅

D.光刻胶

答案：B

解析：二氧化硅（SiO?）在表面硅工艺中常用作牺牲层材料，因其易于通过湿法或气相HF刻蚀去除，且与多晶硅有良好的刻蚀选择性。

3.在电容式微加速度计中，为了检测加速度引起的电容变化，通常不采用以下哪种方式？

A.开关电容电路

B.压阻效应

C.交流载波调制

D.力平衡反馈

答案：B

解析：压阻效应是通过电阻变化来检测应力，常用于压阻式传感器。电容式加速度计检测的是极板间距或有效面积变化引起的电容改变，其检测电路通常涉及开关电容、调制解调或力平衡技术，而非直接利用压阻效应。

4.以下关于深反应离子刻蚀（DRIE）的描述，哪一项是正确的？

A.只能实现各向同性刻蚀

B.其“Bosch工艺”通过交替进行刻蚀和钝化步骤来