SiC-Si混合功率半导体器件赋能移相控制双有源桥变换器的性能突破与优化研究.docx

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SiC-Si混合功率半导体器件赋能移相控制双有源桥变换器的性能突破与优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今能源领域,随着对高效、可靠和可持续能源系统需求的不断增长,电力电子技术作为实现能源高效转换和利用的关键支撑,发挥着越来越重要的作用。在各种电力电子变换器中,双有源桥(DualActiveBridge,DAB)变换器因其独特的优势,如电气隔离、能量双向流动、高功率密度和易于实现软开关等,在分布式发电、电动汽车、直流配电网等多个领域得到了广泛的关注和应用。

在分布式发电系统中,DAB变换器能够有效地连接不同电压等级的分布式电源和储能设备,实现能量的灵活传输和管理,提高能源利用

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