低温深反应离子刻蚀中黑硅新刻蚀前沿预测与建模.pdfVIP

W3A.004

低温深反应离子刻蚀产生的黑硅中新刻蚀前沿的预测

D.AbSaab1,111,2,2P.BassetM.J.PierottiM.L.TrawickandD.E.

Angecu巴黎东大，ESIEE巴黎，ESYCOM，93162诺伊莱‑格朗，法

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国里士满大学，里士满，23173弗吉尼亚州，

它可以以10纳米的精度再现具有任意比和样本细节

本文解释了在深反应离子刻蚀（DRIE）过程中黑的硅纳米结构。随后，我们开发了一个实验支持的现象

硅（BSi）动态形成的过程，这一过程已通过低温学模型，能够模拟从平面基板到完全发育的黑硅形貌的

DRIE实验数据和计算建模得到验证。该模型描述了基整个表面演变过程。我们生成了相图，捕捉导致黑硅形

板形貌对刻蚀参数的强烈依赖性及其随工艺时间的演变。成的参数组合。我们还通过实验观察并在模型中重现了

它展示了自阴影效应在最构中的重要性，并允许预一些细微效