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PN8158替换CR5228技术说明与优化建议.pdfVIP

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  • 2026-07-13 发布于北京
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PN8158替换CR5228技术说明与优化建议.pdf

    PN8158替换CR5228说明

    因内置高压启动，省去

    R102、R103启动电阻及限

    流电阻R104

    因4脚基准电压降低至

    0.45V，R106、R107须减

    小至原来的9/16

    (以保持OCP点不变)

    C106建议在1nF，10nF以

    上影响动态响应

    内置MOS为650V收益于专利Smart

    3.6ohm(CR5228600VMOSFET，保护更全面、R206建议取值1K，以保证

    3.8ohm)，温度裕量增大精准，提高系统可靠性TL431的最小工作电流

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