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车用GaN激光雷达驱动芯片的技术突破与2028年市场增量空间

摘要

本报告聚焦车规级氮化镓（GaN）功率器件在激光雷达发射端驱动芯片中的应用，重点分析其在窄脉冲、高功率密度驱动场景下的技术优势、主要供应商布局及2028年市场增量空间。

随着L3级以上自动驾驶渗透率快速攀升，激光雷达对发射链路驱动系统提出了纳秒级脉宽、数十安培峰值电流及MHz级重复频率的严苛要求。传统硅基驱动方案在开关速度与功率密度上已逼近物理极限，而GaNHEMT凭借其二维电子气结构带来的零反向恢复电荷、极低栅极电荷（Qg

报告首先梳理了宏观政策与技术环境，随后对GaN激光雷达驱动芯片的市场规模、细分结构及