半导体化学气相沉积技师考试试卷及答案.docVIP

半导体化学气相沉积技师考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.CVD工艺中常用的惰性载气是__________（氮气或氩气）。

2.硅外延生长的典型反应气体是__________（三氯氢硅或硅烷）。

3.等离子体增强化学气相沉积的英文缩写为__________。

4.衡量薄膜厚度分布一致性的指标是__________。

5.CVD反应室中控制压力的核心部件是__________（压力调节阀或真空泵）。

6.制备二氧化硅薄膜常用的有机前驱体是__________（TEOS）。

7.影响CVD薄膜生长速率的关键参数包括温度、压力和__________。

8.低压化学气相沉积的英文缩写是__________。

9.薄膜内部应力分为张应力和__________。

10.CVD工艺中，反应物气体到达衬底表面的过程称为__________（传质）。

单项选择题（共10题，每题2分）

1.下列哪种气体不属于CVD反应气体？（）

A.SiH?B.NH?C.N?D.O?

2.PECVD的主要优势是（）

A.沉积温度低B.设备成本低C.薄膜硬度高D.速率最慢

3.衬底温度升高时，CVD薄膜生长速率通常会（）

A.降低B.升高C.不变D.先降后升

4.LPCVD常用于制备以下哪种薄膜？（）

A.金属薄膜B.多晶硅薄膜C.有机薄膜D.氧化物薄膜

5.反应室中防止气体逆流的部件是（）

A.流量计B