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2026合肥晶合集成电路股份有限公司校园笔试历年备考题库附带答案详解

一、选择题

从给出的选项中选择正确答案（共50题）

1、在CMOS工艺中，N阱（N-well）主要用来制作哪种类型的MOS晶体管？

A.PMOS

B.NMOS

C.双极型晶体管

D.电阻

2、下列哪种存储器类型属于非易失性存储器？

A.DRAM

B.SRAM

C.Flash

D.Register

3、在数字逻辑设计中，实现“与非”逻辑功能的门电路是？

A.AND门

B.OR门

C.NAND门

D.XOR门

4、集成电路制造中，光刻工艺的主要目的是？

A.增加芯片厚度

B.将掩模版图形转移到硅片表面

C.清洗硅片表面

D.检测芯片性能

5、在VerilogHDL中，阻塞赋值符号“=”与非阻塞赋值符号“=”的主要区别在于？

A.前者用于组合逻辑，后者用于时序逻辑

B.前者并行执行，后者串行执行

C.前者在语句结束时更新，后者立即更新

D.两者无区别

6、在CMOS工艺中，为了降低短沟道效应并提高迁移率，通常会在硅衬底上外延生长一层薄层材料。下列哪种结构最常用于此目的？

A.体硅（BulkSilicon）

B.硅锗（SiGe）沟道

C.氧化层（SiO2）

D.金属栅极

7、在数字集成电路设计中，动态功耗主要由电容充放电引起。若供电电压从V降至0.5V，频率保持不变，动