2025年大学第二学年（微电子科学与工程）半导体器件试题及答案.docVIP

2025年大学第二学年（微电子科学与工程）半导体器件试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题共40分）

（总共8题，每题5分，每题只有一个正确答案，请将正确答案填在括号内）

1.半导体中起导电作用的主要是（）

A.自由电子B.空穴C.离子D.自由电子和空穴

2.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

A.温度B.掺杂浓度C.光照D.杂质类型

3.P型半导体中，多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

4.当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

5.二极管的反向电流随温度的升高而（）

A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小

6.稳压二极管正常工作时应处于（）

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.不确定

7.三极管工作在放大区时，发射结和集电结的状态是（）

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏

8.三极管的电流放大倍数β是指（）

A.Ic/IbB.Ib/IcC.Ie/I