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面向核聚变实验装置的SiC基超导磁体电源：四象限运行与极低纹波控制

摘要

本报告聚焦于碳化硅（SiC）功率器件在托卡马克等核聚变实验装置超导磁体电源中的细分应用市场，系统调研了其作为新一代电源核心器件的技术演进、市场规模、需求特征与竞争格局。

调研范围覆盖全球主要核聚变装置及关键电源供应商，时间跨度涵盖2020年至2035年的市场周期。核心发现表明，聚变等离子体控制对磁体电源提出了电流快速响应（数千安培/毫秒级）与极高精度（电流纹波低至10ppm级）的严苛要求，传统硅基器件在开关频率、损耗与功率密度上已逼近物理极限。

SiCMOSFET凭借其高开关速度、低开关损耗与高温耐