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GaAs基量子点垂直腔面发射激光器：原理、进展与挑战

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，光电器件在现代通信、传感和数据处理等领域中扮演着至关重要的角色。其中，GaAs基量子点垂直腔面发射激光器（QuantumDotVertical-CavitySurface-EmittingLasers,QD-VCSELs）由于其独特的结构和优异的性能，成为了光电器件领域的研究热点之一。

在光通信领域，随着数据流量的爆发式增长，对高速、大容量的数据传输需求日益迫切。传统的边发射激光器在集成度和调制速率等方面逐渐难以满足需求，而GaAs基量子点垂直腔面发射激光器具有高调制