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高速CMOS静态RAM IS61WV51216ALL L特性与应用.pdf

高速CMOS静态RAM IS61WV51216ALL L特性与应用.pdf

    IS61WV51216ALL

    IS61WV51216BLL

    IS64WV51216BLL

    512Kx16高速异步CMOS静态RAM，供电电压

    3.3V2009年10月

    特性描述

    •高速时间：8、10、该ISSIIS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是

    20纳秒

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