SEMI 标准列表.xlsVIP

Sheet3 Sheet2 Sheet1 SEMI M3.1296 SEMI M3.2－91 SEMI M3.4－91 SEMI M3.5－92 SEMI M3.6－88 SEMI M3.8－91 SEMI M4－1296 SEMI M6－1000 SEMI M8－0301 SEMI M9－0999 SEMI M9.1－96 SEMI M9.2－96 　 SEMI M9.3－89 SEMI M9.4－89 SEMI M9.5－96 SEMI M9.6－95 SEMI M9.7－0200 　 SEMI M12－0998 　 SEMI M13－0998 SEMI M15－0298 SEMI M16－1296 SEMI M16.1－89 SEMI M17－0998 SEMI M18－0302 SEMI M19－91 SEMI M20－0998 SEMI M22－1296 SEMI M23－0302 SEMI M23.5－1000 SEMI M24－1101 SEMI M26－96 SEMI M28－0997（1000撤回） SEMI M30－0997 SEMI M32－0998 SEMI M34－0299 SEMI M37－0699 SEMI M40－0200 SEMI M41－1101 SEMI M44－0301 SEMI M45－0301 SEMI M46－1101 SEMI M49－1101 SEMI M50－1101 SEMI T1－95 SEMI T2－0298 SEMI T3－0302 SEMI T4－0301 SEMI T5－96 SEMI T7－0302 1.基础标准 锗晶体缺陷图谱 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 半导体材料术语 半导体材料牌号表示方法 晶片通用网络规范 确定晶片坐标系规范 硅材料原生缺陷图谱（原GBn 266-87） 2.产品标准 工业硅技术条件 锗单晶 高纯镓 高纯二氧化锗 还原锗锭 区熔锗锭 锑化铟多晶、单晶及切割片 带二维矩阵代码符号的双面抛光晶片背面标志规范 砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范 150mm和200mm晶片箱标志尺寸规范 晶片盒标签规范 带有二维矩阵代码符号的晶片标志规范 硅片背面条型代码标志规范 化合物半导体外延片规范 采用覆盖法确定表面扫描检查系统的捕获率和虚假计数率的测试方法 用于130nm级工艺硅片几何尺寸测量设备的指南 评价无图形硅衬底上薄膜的化学机械抛光工艺的指南 CMOS LSI电路用绝缘体上硅（SOI）晶片规范 用EVC剖面分布测量外延层结构中载流子浓度的测试方法 300mm晶片发货系统临时标准 硅中间隙氧的转换因子指南 关于编制硅片纳米形貌报告的指南 功率器件、集成电路用绝缘体上硅（SOI）晶片的规范 关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测量指南 半绝缘砷化镓单晶材料的电阻率、霍尔系数盒霍尔迁移率测试方法 硅抛光回收片规范 低位错密度磷化铟晶片中腐蚀坑密度（EPD）的测试方法 低位错密度砷化镓晶片腐蚀坑密度（EPD）的测试方法 开发自动检查方法测量硅片表面特征规范的指南 制定SIMOX硅片技术规范指南 用全反射X射线荧光光谱（TXRF）测定硅片表面残留玷污的测试方法 统计规范指南 用于300mm晶片传送和发货的正面打开的发货片盒暂定机械规范 用傅立叶变换红外吸收光谱测量砷化镓中代位碳原子浓度的标准方法 直径300mm晶片传递盒规范 开发中的直径300mm硅单晶抛光片规范 确定测试仪器的精度与公差比（P/T）的规程 运输晶片用的片盒和花篮再使用指南 根据聚苯乙烯乳胶球直径校准光点缺陷硅片检验系统用硅片规范 优质单晶抛光片规范 电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规范（V尾槽） 电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规范（燕尾槽） 矩形磷化铟单晶抛光片标准 3inch(76.2mm)磷化铟单晶圆形抛光片标准 直径50mm磷化铟单晶圆形抛光片标准 磷化铟单晶抛光片规范 介电绝缘（DI）晶片规范 地址分配到笛卡尔坐标系的矩形单元规范 建立晶片坐标系的规范 体砷化镓单晶衬底电学特性规范 硅片订货单格式 晶片通用网格规范 块状多晶硅标准 多晶硅规范 半绝缘砷化镓抛光片缺陷限度表 半绝缘砷化镓单晶离子注入与激活工艺规范 硅片字母数字标志规范 晶片正面系列字母数字标志规范 集成电路用硅外延片规范 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 水平法砷化镓单晶及切割片 硅单晶 硅多晶 硅单晶抛光片 硅单晶切割片和研磨片 硅外延片 锗单晶片 高纯四氯化锗 鉴别砷化镓晶片上观察到的结构和特征的标准术语 直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片（切口）规范 直径125mm砷化镓单晶圆形抛光片标准 电子器件用直径100mm砷化镓单晶圆形抛