硅晶外延技术详解与实践指南.pptVIP

半导体材料;第五章硅外延生长;外延生长分类;依据外延生长方法：;依据向衬底输运外延材料的原子的方法不同;

;5.2硅的气相外延;气相外延法生长Si半导体膜所用原料气体、反应式、生长温度及所属反应类型;各种硅源优缺点：;四部分组成：

氢气净化系统、气体输运及净化系统、加热设备和反应室

依据反应室的结构，由水平式和立式，后者又分为平板式和桶式

加热反应器，提升温度，有利于硅的淀积，加热方式有高频感应加热和红外辐射加热。

;5-2-3外延工艺次序;原理：SiCl4+2H2?Si+4HCl;生长过程：;1.SiCl4浓度对生长速率的影响;2.温度对生长速率的影响;3.气流速度对生长速率的影响;5-2-5硅外延生长动力学过程;边界层：P110;此模型以为硅外延生长涉及以下环节:

1.反应物气体混合向反应区输运

2.反应物穿过边界层向衬底表面迁移

3.反应物分子被吸附在高温衬底表面上

4.在衬??表面发生化学反应，生成生长晶体的原子和气体副产物，原子进入晶格格点位置形成晶格点阵，实现晶体生长

5.副产物气体从表面脱附并穿过边界层向主气流中扩散

6.气体副产物和未反应的反应物，离开反应区被排出系统;气相均质反应模型;5－3硅外延层电阻率的控制;5－3－1外延层中的杂质及掺杂;N气，N基座，N系统，杂质不是起源衬底片，因此称为外掺杂

N扩散，N衬底，