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面向第三代半导体的减薄、划片与激光剥离设备市场趋势

摘要

本报告聚焦于第三代半导体材料制造的关键工艺环节，即碳化硅（SiC）晶锭剥离、氮化镓（GaN）衬底激光剥离，以及相关的晶圆减薄与划片设备市场。

调研覆盖全球及中国市场，时间跨度从2023年至2030年，旨在剖析设备技术的演进路径、市场供需格局、竞争态势及未来增长点。

核心发现表明，SiC和GaN器件在电动汽车、快充、5G通信等领域的爆发式增长，正对上游制造工艺提出前所未有的高效率、低成本要求。

激光剥离技术作为SiC晶锭加工的革命性方案，以及GaN衬底剥离的主流路径，正在从研发向量产快速渗透，其设备市场预计在2026年后