CN119694887A 一种氧化镓薄膜材料结构及其外延生长方法 (西安电子科技大学).pdfVIP

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  • 2026-07-17 发布于重庆
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CN119694887A 一种氧化镓薄膜材料结构及其外延生长方法 (西安电子科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119694887A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202411785515.7

(22)申请日2024.12.06

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人何云龙陆小力马晓华郑雪峰

郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

专利代理师王品华黎汉华

(51)Int.Cl.

H01L21/365(2006.01)

H01L21/363(2006.01)

H10D62/80(2025.01)

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