CN120060857A 钌的半导体用处理液及其制造方法 （株式会社德山）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120060857A

(43)申请公布日2025.05.30

(21)申请号202510195151.5

(22)申请日2020.07.08

(30)优先权数据

2019-1767272019.09.27JP

2019-1930812019.10.23JP

2019-2118752019.11.22JP

2020-0458692020.03.16JP

(62)分案原申请数据

202080068032.92020.07.08

(71)申请人株式会社德山

地址日本

(72)发明人佐藤伴光吉川由树下田享史根岸贵幸

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

专利代理师吕琳朴秀玉

(51)Int.Cl.

C23F1/30(2006.01)

权利要求书2页说明书32页

(54)发明名称

钌的半导体用处理液及其制造方法

(57)摘要

CN120060857A本发明涉及钌的半导体用处理液及其制造方法。一种钌的半导体用处理液，其含有次溴酸离子，所述次溴酸离子为0.001mol/L以上且0.20mol/L

CN120060857A

CN120060857A权利要求书