CN120035193A 包括高导热材料的半导体结构及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120035193A

(43)申请公布日2025.05.23

(21)申请号202510108976.9

(22)申请日2025.01.23

(30)优先权数据

18/432,0272024.02.04US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力

行六路八号

(72)发明人江育贤温伟源廖思雅

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限

公司32243

专利代理师王素琴

(51)Int.Cl.

H10D62/13(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D84/83(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

H10D30/62(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书1页说明书10页附图11页

(54)发明名称

包括高导热材料的半导体结构及其形成方

法

(57)摘要

CN120035193A提供一种包括用于源极/漏极(S/D)及/或散热器的高卡帕(high_?)材料的半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括衬底、堆叠在衬底之上的多个沟道层、包覆多个沟道层的栅极结构以及配置在栅极结构的相对侧处的衬底之上并连接多个沟道层的S/D区。S/D