亚波长纳米微镜表面结构：解锁GaN基LED出光效率提升的新路径.docxVIP

亚波长纳米微镜表面结构：解锁GaN基LED出光效率提升的新路径

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今社会，随着能源问题的日益突出和人们对绿色环保生活的追求，高效节能的照明技术成为了研究的热点。发光二极管（LED）作为一种新型的固态光源，因其具有节能、环保、寿命长、响应速度快等诸多优点，在照明领域展现出了巨大的潜力，正逐渐取代传统的照明光源，如白炽灯、荧光灯等，掀起了一场照明革命。

GaN基LED作为LED家族中的重要成员，凭借其宽禁带、高电子迁移率、高饱和漂移速度和良好的热稳定性等优异特性，不仅在户外显示屏、液晶显示器背光源、城市景观和交通信号灯等领域得到了广泛应用，更是白光LED的核心组成部分。然而，尽管GaN基LED在照明领域取得了显著的进展，但其出光效率仍然受到一些因素的限制，其中GaN与外界的高折射率差导致的低光取出效率是最为关键的障碍之一。

当光在GaN材料中传播到达GaN/空气界面时，由于两者折射率的巨大差异（GaN的折射率约为2.5-2.6，而空气的折射率近似为1），根据全反射原理，大部分光会发生全反射而被限制在GaN材料内部，无法有效射出，这极大地降低了LED的外量子效率，限制了其在照明等领域的进一步发展和应用。提高GaN基LED的出光效率，不仅可以降低能耗，实现节能减排的目标，还能拓展其应用范围，