存储测试机专题：AI算力倒逼HBM 3D堆叠，KGSD测试前移催生量价齐升——双寡头垄断下的国产设备商加速突破与替代窗口.pptxVIP

l存储持续涨价两存上市在即，看好存储未来扩产持续性。自2024年底以来，在AI算力需求拉动下，

DRAM与NANDFlash现货价格均进入快速上行通道，DDR4（8Gb）2024年底到2026年6月涨幅超17倍，

DDR5（16Gb）2025年11月至2026年6月底涨幅约4.9倍。长鑫存储2025年营收618亿元，2026Q1营收同比+719%，产能利用率长期维持90%以上，资本开支持续高位。中国头部存储厂商与国际龙头产能差距显著，后续扩产空间广阔。

lAI算力催生HBM需求，HBM成为AI芯片主流方案。AI服务器出货量2023-2025年接近翻倍，Trendforce预计2026年达275万台。HBM凭借高带宽、低延迟、低功耗优势成为应对内存墙的核心技术，在AI服务器BOM中价值量占比快速提升。2025年HBM市场基本由SK海力士（占据市场份额58.3%）、三星和美光占据，海外龙头已陆续实现HBM4量产，国内长鑫存储预计2027年实现HBM3e量产。

lHBM堆叠对测试机提出KGSD等新需求，存储测试机需求量价齐升。HBM采用3D堆叠架构，测试重心前移至KGSD测试环节，测试道数由传统DRAM的3–4道提升至15道以上，存储测试机需求约为传统

DRAM的5–6倍。HBM对测试设备在供电能力、时序精度、高并行测试能力及测试算法等方面均提出更