CN119372760A 一种提高半导体晶体质量的液相生长装置及液相生长方法 （山东天岳先进科技股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119372760A

(43)申请公布日2025.01.28

(21)申请号202411758462.X

(22)申请日2024.12.03

(71)申请人山东天岳先进科技股份有限公司

地址250118山东省济南市槐荫区天岳南

路99号

(72)发明人党一帆朱灿刘鹏飞陈超

周惠琴王立凤李印马立兴

(74)专利代理机构北京君慧知识产权代理事务

所(普通合伙)11716

专利代理师王振南

(51)Int.Cl.

C30B9/10(2006.01)

C30B29/36(2006.01)

C30B33/00(2006.01)