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P沟道2.5V规格MOSFET技术特性与应用概述.pdfVIP

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  • 2026-07-21 发布于北京
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P沟道2.5V规格MOSFET技术特性与应用概述.pdf

    1999年9月

    FDS9431A

    P沟道2.5V规格MOSFET

    概述特性

    此P沟道2.5V规格的MOSFET是使用Fairchild独有的•‑3.5A,‑20V.R=0.130@V‑4.5V

    高单元密度DMOS工艺制造的DS(ON)GS

    该技术工艺密度非常高，特别针对最小化导通电阻进行R=0.180@V=‑2.5V.

    DS(ON)GS

    了优化，同时保持了优异的开关性能。

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