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芯片研发基础期末考试试卷（含详细答案）

适用对象：微电子相关专业、芯片研发入门工程师

考试时长：120分钟

满分分值：100分

考试说明：本试卷为闭卷考试，涵盖半导体物理基础、晶体管器件、集成电路制造、IC设计基础、封装测试五大模块；题型全面，侧重理论结合行业实际，无超纲偏题、怪题。

一、单项选择题（共15题，每题2分，总计30分）

答题说明：每题仅有一个正确答案，请选择最符合题意的选项

现阶段商用集成电路主流衬底材料是以下哪种（）

A.碳化硅(SiC)

B.单晶硅(Si)

C.氮化镓(GaN)

D.砷化镓(GaAs)

本征半导体在常温环境下，载流子的主要来源是（）

A.杂质电离

B.热激发产生电子-空穴对

C.光照激发

D.外部电压激励

在CMOS工艺中，NMOS晶体管的导通条件为（）

A.栅极电压高于源极电压，且超出阈值电压

B.栅极电压低于源极电压，且低于阈值电压

C.漏极电压大于源极电压即可

D.栅极电压等于源极电压

以下掺杂元素中，可用于硅材料制备P型半导体的是（）

A.磷(P)

B.砷(As)

C.硼(B)

D.锑(Sb)

芯片制造过程中，光刻工序的核心作用是（）

A.掺杂离子，改变半导体导电特性

B.将掩模版电路图案转移至晶圆表面

C.刻蚀多余硅材料，成型器