CN119604004A 平面栅双控制极4H-SiC复合晶体管结构及制备方法 （陕西半导体先导技术中心有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604004A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202411772228.2

(22)申请日2024.12.04

(71)申请人陕西半导体先导技术中心有限公司

地址710077陕西省西安市高新区锦业路

125号西安半导体产业园A座二层

(72)发明人王彩琳何晓宁李佳关蕾

李阳善郭智伟李钊君

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

务所(普通合伙)61230

专利代理师田孟敏

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)