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《边发射半导体激光器外延片增益谱测试方法》标准立项修订与发展报告

边发射半导体激光器外延片增益谱测试方法标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardforTestMethodofGainSpectrumofEdgeEmittingSemiconductorLaserEpitaxialWafers

摘要

随着光通信、激光雷达、工业加工及医疗美容等领域的快速发展，边发射半导体激光器作为核心光电子器件，其性能与可靠性直接取决于外延片的质量。增益谱作为表征激光器有源区材料光学增益特性的关键参数，其精确测量对于优化外延结构设计、提升器件性能及保障生产一致性具有决定性意义。然而，长期以来，行业内缺乏统一的增益谱测试方法标准，导致不同厂商和科研机构之间的测试结果可比性差，严重制约了技术交流与产业协同发展。为填补这一标准空白，国家标准化管理委员会批准立项《边发射半导体激光器外延片增益谱测试方法》推荐性国家标准（计划号：2026001184）。本报告系统阐述了该标准的立项背景、制定目标、主要技术内容及预期影响。标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（TC203）归口，其材料分会（SC2）执行，联合中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、南开大学、长春理工大学等多家优势单位共同起草。标准规定了适用于各类Ⅲ