CN120124502A 一种二维半导体纳米晶体管的设计与仿真方法 （深圳彤辉科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120124502A

(43)申请公布日2025.06.10

(21)申请号202510622815.1

(22)申请日2025.05.15

(71)申请人深圳彤辉科技有限公司

地址518000广东省深圳市龙华区龙华街

道三联社区三联创业路19号弓村新城商业中心（汇海广场）B座15层1501-1502

(72)发明人程跃辉吴贵勇徐婷婷

(74)专利代理机构深圳科博专利代理事务所(普通合伙)441003

专利代理师李木燕

(51)Int.Cl.

G06F30/27(2020.01)

G16C60/00(2019.01)

G06N3/08(2023.01)

G06N3/0895(2023.01)

G06F111/04(2020.01)

权利要求书2页说明书11页附图1页

(54)发明名称

一种二维半导体纳米晶体管的设计与仿真

方法

(57)摘要

CN120124502A本发明涉及二维材料的设计与应用技术领域，公开了一种二维半导体纳米晶体管的设计与仿真方法，包括，收集二维半导体纳米晶体管的设计与仿真的多源数据，通过数据质量评估模型进行筛选，得到分层数据结构；构建并训练贝叶斯神经网络模型；通过多尺度特征提取算法和参数关联分析算法，识别关键影响参数并应