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西科大模电试题及答案(名校出品)

一、选择题（共10题，每题3分，共30分）

1.在本征半导体中，掺入三价元素杂质后，形成的杂质半导体类型是

A.P型半导体

B.N型半导体

C.PN结

D.绝缘体

2.二极管两端正向电压大于死区电压时，二极管处于

A.截止状态

B.导通状态

C.反向击穿状态

D.临界状态

3.晶体管处于放大区时，其发射结和集电结的偏置状态是

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结均正偏

D.发射结和集电结均反偏

4.场效应管（FET）属于

A.电流控制器件

B.电压控制器件

C.双极型器件

D.两者皆是

5.在共射极放大电路中，若输入电压为正弦波，则输出电压波形出现底部削平失真，这是由于

A.饱和失真

B.截止失真

C.交越失真

D.频率失真

6.理想运算放大器工作在线性区时，具有两个重要特性，即“虚短”和“虚断”，其中“虚短”是指

A.运算放大器的输入电压为零

B.运算放大器的输入电流为零

C.运算放大器的两个输入端电位相等

D.运算放大器的两个输入端电流相等

7.在负反馈放大电路中，若反馈信号取自输出电压，并与输入信号在输入端相串联比较，则该反馈为

A.电压串联负反馈

B.电压并联负反馈

C.电流串联负反馈

D.电流并联负反馈

8.欲构成一个低通滤波器，