CN120152291A 半导体存储器件及其制造方法 （爱思开海力士有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120152291A

(43)申请公布日2025.06.13

(21)申请号202510288950.7

(22)申请日2020.04.17

(30)优先权数据

10-2019-01091392019.09.03KR

(62)分案原申请数据

202010303950.72020.04.17

(71)申请人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道

(72)发明人权兑烘宾真户权日荣

(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限

公司11363

专利代理师许伟群李少丹

(51)Int.Cl.

H10B43/30(2023.01)

H10B43/27(2023.01)

H10B41/30(2023.01)

H10B41/27(2023.01)

权利要求书3页说明书14页附图23页

(54)发明名称

半导体存储器件及其制造方法

(57)摘要

CN120152291A本技术包括半导体存储器件及其制造方法。半导体存储器件包括：第一叠层，其包括第一孔；第二叠层，其设置在第一叠层上，并且包括与第一孔连接的第二孔；第一存储膜，其沿着第一孔的内侧壁形成；第二存储膜，其沿着第二孔的内侧壁形成；以及通道膜，其沿着第一存储膜的内侧壁和第二存储膜的内侧壁形成。通道膜是单个