500V N沟道MOSFET特性与应用概述.pdfVIP

FDH50N50_F133/FDA50N50

500VN沟道MOSFET

特性

•48A，500V，RDS(导通)= 0.105Ω@VGS= 10V

•低栅极电荷（典型值105nC）

Crs

低s（典型值45pF）

•快开关100%雪崩

速

测试

进

•改的dv/dt能力

描述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术制造。

这项先进技术特别针对最小化导通状态电阻、卓越的开关性能以及在雪崩和换相

模式下承受高能脉冲进行了优化。这些器件非常适合用于高效开关电源和有源功率因

数校正。

FDH50N50_F133/FDA50N50

500VN-ChannelMOSFET

Features

•48A,500V,R  0.105Ω@V  10V

DS(on)GS

•Lowecharge(typical