CN120129389A 一种改善AlGaInP红光Micro LED芯片光电性能的方法 （微玖(苏州)光电科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120129389A

(43)申请公布日2025.06.10

(21)申请号202510617637.3

(22)申请日2025.05.14

(71)申请人微玖（苏州）光电科技有限公司

地址215000江苏省苏州市工业园区双溇

里路3号合木·传奇大厦816室

(72)发明人黄振钟冠伦王程功郑鹏远张宇

(74)专利代理机构苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251

专利代理师阮俊敏

(51)Int.Cl.

H10H29/01(2025.01)

H10H20/824(2025.01)

H10H29/855(2025.01)

权利要求书2页说明书8页附图12页

(54)发明名称

一种改善AlGaInP红光MicroLED芯片光电

性能的方法

(57)摘要

CN120129389A本申请公开了一种改善AlGaInP红光MicroLED芯片光电性能的方法，包括如下步骤：S1，衬底预处理与缓冲层生长；S2，刻蚀阻挡层生长；S3,绝缘膜层制备与图形化；S4,n型GaN/InGaN欧姆接触层生长；S5,外延片结构生长：在欧姆接触层上依次外延生长多种功能层；S6，芯片工艺处理：对外延片进行一系列芯片工艺处理；本申请的n型GaN（InGaN）高掺杂浓度及低