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CVD工艺试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

1.CVD工艺中，气相反应物的传输过程不包括（）

A.质量传输B.表面反应C.热扩散D.对流

2.低压CVD（LPCVD）相比常压CVD（APCVD）的优势是（）

A.沉积速率快B.台阶覆盖性好C.设备成本低D.反应温度低

3.等离子体增强CVD（PECVD）降低反应温度的主要原因是（）

A.减少前驱体浓度B.抑制气相成核C.等离子体提供反应活化能D.降低系统压力

4.CVD工艺中，影响薄膜纯度的关键杂质来源包括（）

A.反应气体中的杂质B.反应器壁材料释放的杂质C.载气中的水分D.以上都是

5.硅基CVD中，制备SiO?薄膜的常用前驱体组合是（）

A.SiH?和O?B.TEOS和O?C.SiCl?和H?D.SiH?和N?

6.下列属于CVD工艺核心步骤的有（）（多选）

A.前驱体气化B.气相传输C.表面反应D.副产物脱附

7.原子层沉积（ALD）的技术特点是（）

A.连续通入多种前驱体B.自限制表面反应C.高沉积