电子材料工艺学复习题试卷及答案.docxVIP

电子材料工艺学复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题：

1.下列属于物理气相沉积（PVD）技术的是（）。

A.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

B.真空蒸镀

C.化学气相沉积（CVD）

D.热氧化

2.硅片热氧化的主要目的是（）。

A.降低表面粗糙度

B.形成SiO?绝缘层

C.提高载流子迁移率

D.掺杂杂质

3.溶胶-凝胶法制备氧化物薄膜的核心步骤不包括（）。

A.溶胶制备

B.凝胶化

C.热处理

D.机械研磨

4.离子注入工艺中，直接影响掺杂浓度分布的参数是（）。

A.注入能量

B.基板温度

C.掺杂剂种类

D.真空度

5.下列属于半导体光刻工艺步骤的是（）。

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.以上都是

6.缺陷工程的核心目标是（）。

A.完全消除材料中的缺陷

B.控制缺陷类型和浓度以调控性能

C.提高材料纯度

D.降低材料成本

7.磁控溅射制备薄膜的优点不包括（）。

A.沉积速率高

B.薄膜附着力强

C.设备成本低

D.成分可控

8.高分子材料工艺中，加