UV照射与SC1工艺结合去除刻蚀后残留物研究.pdf

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通过UV照射和SC1工艺组合湿法去除刻

蚀后残留物

E.Kesters,aQ.T.Le,aI.Simms,bK.Nafus,bH.Struyfa和S.DeGendta

aImec,Kapeldreef75,3001Leuven,比利时b东京电子，IMEC附属机构，比利时

kesterse@imec.be

：刻蚀后残留物，UV处理，SC1，低k2.0，BEOL。

引言

在后端连线处理（BEOL）中，刻蚀过程中沉积在电介质侧壁上的聚合物必