table{边框‑合并:塌陷;}table,th,td{边框:1px实线#000;}
FCH104N60F
N沟道SuperFET®IIFRFET®MOSFET
600V,37A,104mΩ
特性
∘
•650∨@⊤J= 150C
•典型导通电阻RDS(on)= 98mΩ
•超低栅极电荷(典型值Qg= 107nC)
•低有效输出电容(典型值C0ss(eff.)= 109pF)
•100%雪崩测试
•符合Ro准
描述
SuperFET®IIMOSFET是Fairch体的全新高压超结(SJ)M
table{边框‑合并:塌陷;}table,th,td{边框:1px实线#000;}
FCH104N60F
N沟道SuperFET®IIFRFET®MOSFET
600V,37A,104mΩ
特性
∘
•650∨@⊤J= 150C
•典型导通电阻RDS(on)= 98mΩ
•超低栅极电荷(典型值Qg= 107nC)
•低有效输出电容(典型值C0ss(eff.)= 109pF)
•100%雪崩测试
•符合Ro准
描述
SuperFET®IIMOSFET是Fairch体的全新高压超结(SJ)M
文档评论(0)