碳化硅单晶片残余应力的测试 光弹法编制说明.pdfVIP

国家标准

碳化硅单晶片残余应力的测试-光弹法

编制说明

（征求意见稿）

编制组

二〇二六年七月

国家标准《碳化硅单晶片残余应力的测试光弹法》编制说明

（征求意见稿）

一、工作简况

1、立项目的和意义

SiC5G

碳化硅（）半导体材料是继硅材料后新近发展起来的新一代功率半导体，是

通信、电动汽车、轨道交通、新能源等产业发展的战略材料。美、欧、日等均将SiC半

导体材料纳入国家战略，我国也通过科技重大专项、战略性新兴产业发展规划等积极支

持SiC半导体材料研发、产业化。

大尺寸碳化硅衬底在可用面积、边缘质量与自动化生产上具有明显优势。因此发

展大尺寸衬底是行业风向的大势所趋。而尺寸的增大，同