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电源管理微型器件特性与应用.pdfVIP

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  • 2026-07-27 发布于北京
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电源管理微型器件特性与应用.pdf

    双增强模式MOSFET（N沟道和P沟道）

    特性引脚描述

    •N沟道20V/8A，RDS(ON)=22m(典型值)D1

    @VGS=4.5VD1D2

    D2

    S1

    R=30m(典型值)@V=2.5VG1

    DS(ON)GSS2

    •P沟道‑20V/‑4.3A，RDS(ON)=80m(典

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